【字体:小 大】 |
开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析 | |
http://www.dykf.com 2009/1/18 电源开发网 | |
Abstract:This paper studies the spectrum characteristics of MOSFET Drain-Source voltage of switch power supply. Simulate the waveform of the voltage through extracting the characteristic parameters of the time-domain voltage signal for MOSFET drain-source. Analysis the spectrum characteristics for EMI of the signal and separately researches the effect to spectrum of the parameters in the voltage signal. Matlab simulating shows that research results are very referable and useful to solve the EMI problems. Keyword:EMI, Source, Matlab 1 引言 等特征参数,通过软件就可以仿真出图1中的波形。 4 仿真分析 本文采用了Matlab进行仿真。图2是根据函数(1)~(4)及确定的特征参数对图1仿真得到的开关信号及其频谱情况,其 (振荡频率=2MHz), 从图中可以看出,该信号的频率范围很宽,频域信号的幅值也很大,当然,这些干扰信号在耦合到电源外部形成电磁干扰时,能量会有很大的衰减。 仿真时,由于傅立叶变换后各频率点的幅值变化太大,研究工作非常困难,因此本文对傅立叶变换后的幅值进行了取对数处理,另外对1dBuV的值也进行了归零。 开关信号的上升和下降沿对干扰的幅值影响很大,图3是上升时间或下降时间为10ns时的上升沿或下降沿的频谱,把上升时间或下降时间改为100ns再仿真时发现:当上升时间或下降时间增加时,随着频率的升高,幅值减小的越快,也就是说,上升或下降时间的变化对高频干扰幅值影响更大。表1中列出了上升时间或下降时间为10ns和100ns时,不同频率的电磁干扰幅值和比较结果。从图中还可以看出在频率为 及其谐波频率附近,电磁干扰的幅值有一个很大的下降。 为了研究阻尼振荡对电磁干扰的影响,本文同样单独对其进行了研究,图4为其频谱, (振荡频率=10MHz), 当把振荡周期从10个变为5个时,对比发现:振荡时间的长短对振荡频率附近的幅值影响最大,对其它频率的幅值影响很小。表2列出了振荡周期分别为10个和5个时不同频率的幅值。 由以上分析可以看出,适当的增加开关信号的上升和下降时间,可以降低电磁干扰的发射,对高频更为明显,尽量减小阻尼振荡的时间,对振荡频率附近的电磁干扰发射,具有明显的效果。 5 结论 本文研究了开关电源中MOSFET漏源极电压信号电磁干扰的频谱特性,发现该信号上升和下降时间的变化对高频干扰的幅值影响更大,且在频率为上升和下降时间的倒数及其谐波附近,干扰幅值有一个突降。通过研究该信号中阻尼振荡时间、周期等参数对电磁干扰的影响,得知振荡时间的长短对振荡频率附近的幅值影响最大,对其它频率的幅值影响很小。 参考文献 [1] S.Radu, Y.Ji, J.Nuebel, J.L.Drewniak, T.P.Van Doren and T.H.Hubing. Identifying an EMI Source and Coupling Path in a Computer System with Sub-Module Testing. IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, USA, 1997, 165-170 [2] 李贵山、杨建平、黄晓峰. 电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)及其抑制措施研究. 电力系统及其自动化. 2002, 14(4): 36-40 [3] Alfio Consoli, Salvatore, Musumeci, Giovanna, Oriti and Antonio Testa. An Innovative EMI Reduction Design Technique in Power Converters, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 1996, 38(4): 567-575 [4] Jamras Kaewchai, Werachet Khan-ngern and Shuichi Nitta. Controlling Conducted EMI emission on a Buck-boost converter using gate controlled circuit. 3rd International Symposium on EMC, Beijing, 2002 [5] C. U-Yaisom, W. Khan-ngern and S. Nitta. The Study and Analysis of The Conducted EMI Suppression on Power MOSFET Using Passive Snubber Circuits. 3rd International Symposium on EMC, Beijing, 2002 [6] Giulio Antonini, Saverio Cristina, Antonio Orlandi. EMC Characterization of SMPS Devices: Circuit and Radiated Emissions Model. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 1996, 38(3): 300-309 您打印的此文来自: |
|
作者:马计强 … 来源:《电源世界》 点击数: |
- | 【字体:小 大】 |